EL MOSFET

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor (MOSFET)

Es un dispositivo unipolar:

la conducción sólo es debida a un tipo de portador

Manipulación del MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)

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MOSFET significa "FET de Metal Oxido Semiconductor" o FET de compuerta aislada. El aislamiento entre la compuerta y el canal es el dióxido de silicio (SiO₂). Ver el siguiente diagrama.

Esta capa aislante (área gris) es tan delgada que se si produjera un campo eléctrico fuerte, podría destruirse, es por eso que la manipulación del MOSFET es tan importante

Debido a la alta resistencia de la capa de dióxido de silicio, la carga en el capacitor no se dispersa rápidamente , sino que se acumula. Esta acumulación de carga puede producir un campo eléctrico destructivo.

El mayor peligro para un MOSFET son las cargas estáticas durante la manipulación del mismo en un día seco. También causan peligro los cautines para soldar, que por lo general no están aislados de la línea de corriente alterna (C.A.).

Para evitar que el MOSFET se dañe de manera accidental, algunos fabricantes incluyen un diodo zener conectado entre la compuerta (G) y la fuente (S) con el ánodo hacia la compuerta y el cátodo hacia la fuente.

Este zener esta diseñado para que conduzca a 50 voltios por lo que VGS (tensión compuerta - fuente) siempre se mantendrá por debajo o igual al valor de esta tensión, y por ende por debajo del valor de tensión destructivo. Ver la figura.

Otra manera de asegurarse de que el MOSFET no se dañe es almacenarlo y transportarlo con ayuda de esponjas conductoras, que cortocircuitan los terminales del MOSFET y así no exista tensión entre ellos.

Si no fuese posible conocer si el MOSFET tiene la protección antes mencionada, la persona que manipulará el elemento debe de asegurarse que su cuerpo no esté cargado de estática. Existen unas pulseras especiales conectadas a un punto de tierra, pensadas para mantener descargado el cuerpo del usuario.

Los más usados son los MOSFET de canal N

La conducción es debida a los electrones y por tanto, son más rápidos

Parámetros fundamentales para seleccionar un MOSFET

• Tensión de ruptura

• Resistencia en conducción

• Corriente máxima

Tensiones de ruptura de dispositivos comerciales

Baja tensión

15 V

30 V

45 V

55 V

60 V

80 V

Media tensión

100 V

150 V

200 V

400 V

Alta tensión

500 V

600 V

800 V

1000 V

MOSFETS comerciales

Curvas de salida reales de un MOSFET

Influencia de la temperatura